APTM10DHM09TG
制造厂商:Microsemi(中文名:美高森美)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:SP4
技术参数:MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4
(专注销售Microsemi电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
(您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
参数详情:
制造商产品型号:APTM10DHM09TG制造商:Microsemi Corporation(美高森美)描述:MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:-零件状态:停产FET类型:2 N 沟道(双)非对称型FET功能:标准漏源电压(Vdss):100V25°C时电流-连续漏极(Id):139A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):10 毫欧 @ 69.5A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):350nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):9875pF @ 25V功率-最大值:390W工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)安装类型:底座安装封装:SP4APTM10DHM09TG的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。