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APTGT100DH170G
  • 制造厂商:Microsemi(中文名:美高森美)
  • 类别封装:晶体管 - IGBT - 模块,封装:SP6
  • 技术参数:IGBT MODULE 1700V 150A 560W SP6
  • (专注销售Microsemi电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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  • 参数详情:
  • 制造商产品型号:APTGT100DH170G
  • 制造商:Microsemi Corporation(美高森美)
  • 描述:IGBT MODULE 1700V 150A 560W SP6
  • 系列:晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态:停产
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 配置:非对称桥
  • 电压-集射极击穿(最大值):1700V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):150A
  • 功率-最大值:560W
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,100A
  • 电流-集电极截止(最大值):350μA
  • 不同?Vce时输入电容(Cies):9nF @ 25V
  • 输入:标准
  • NTC热敏电阻:无
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 封装:SP6
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