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APTC60HM35T3G
  • 制造厂商:Microsemi(中文名:美高森美)
  • 类别封装:场效应管模块,SP3
  • 技术参数:MOSFET 4N-CH 600V 72A SP3
  • (专注销售Microsemi电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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  • 参数详情:
  • 制造商产品型号:APTC60HM35T3G
  • 制造商:Microsemi Corporation(美高森美)
  • 描述:MOSFET 4N-CH 600V 72A SP3
  • 系列:-
  • FET 类型:4 个 N 通道(H 桥)
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):72A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):35 毫欧 @ 72A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5.4mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):518nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):14000pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:416W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP3
  • 供应商器件封装:SP3
  • APTC60HM35T3G的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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