APTC60DSKM24T3G
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：场效应管模块，SP3
技术参数：MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
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参数详情：
制造商产品型号：APTC60DSKM24T3G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3系列：CoolMOS?FET 类型：2 N 沟道（双路降压斩波器）FET 功能：超级结漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：95A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：24 毫欧 @ 47.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 5mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：300nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14400pF @ 25V功率 - 最大值：462W安装类型：底座安装封装/外壳：SP3供应商器件封装：SP3APTC60DSKM24T3G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
