APT75GN60B2DQ3G
制造厂商:Microsemi(中文名:美高森美)
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-264-3,TO-264AA
技术参数:IGBT 600V 155A 536W TO264
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参数详情:
制造商产品型号:APT75GN60B2DQ3G制造商:Microsemi Corporation(美高森美)描述:IGBT 600V 155A 536W TO264系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:停产IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):155A电流-集电极脉冲(Icm):225A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.85V @ 15V,75A功率-最大值:536W开关能量:2500μJ(开),2140μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:485nC25°C时Td(开/关)值:47ns/385ns测试条件:400V,75A,1 欧姆,15V反向恢复时间(trr):-工作温度:-安装类型:通孔封装:TO-264-3,TO-264AAAPT75GN60B2DQ3G的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。