APT11GP60BDQBG
制造厂商:Microsemi(中文名:美高森美)
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
技术参数:IGBT 600V 41A 187W TO247
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参数详情:
制造商产品型号:APT11GP60BDQBG制造商:Microsemi Corporation(美高森美)描述:IGBT 600V 41A 187W TO247系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:POWER MOS 7?零件状态:停产IGBT类型:PT电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):41A电流-集电极脉冲(Icm):45A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,11A功率-最大值:187W开关能量:46μJ(开),90μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:40nC25°C时Td(开/关)值:7ns/29ns测试条件:400V,11A,5 欧姆,15V反向恢复时间(trr):-工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-247-3APT11GP60BDQBG的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。